制作半导体台面侧向电流限制结构的技术 | |
王圩 ; 王志杰 ; 张济志 ; 朱洪亮 | |
1997-05-14 | |
专利类型 | 发明 |
英文摘要 | Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-06-04T08:36:34Z No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5); Made available in DSpace on 2009-06-04T08:36:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5) Previous issue date: 2008-08; Made available in DSpace on 2009-06-11T08:57:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 full/96109615.pdf: 374219 bytes, checksum: 1c00db5cee1eeb3adfae25385fea6aad (MD5) Previous issue date: |
公开日期 | 2009-06-04 ; 2009-06-11 ; 2010-10-15 |
申请日期 | 1996-09-05 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | CN96109615.2 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/2829] |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王圩,王志杰,张济志,等. 制作半导体台面侧向电流限制结构的技术. 1997-05-14. |
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