CORC  > 湖南大学
A New Proportional Base Driver Technique for SiC Bipolar Juction Transistor
Liao, LY; Tang, S; Wang, J; Shuai, ZK; Yin, X; Shen, ZJ
会议名称2015 IEEE ENERGY CONVERSION CONGRESS AND EXPOSITION (ECCE)
会议日期2015
会议地点942-946
关键词Silicon carbide driver bipolar junction transistor proportional power loss
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内容类型会议论文
URI标识http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6085468
专题湖南大学
作者单位Hunan Univ, Coll Elect & Informat Engn, Changsha 410082, Hunan, Peoples R China
推荐引用方式
GB/T 7714
Liao, LY,Tang, S,Wang, J,et al. A New Proportional Base Driver Technique for SiC Bipolar Juction Transistor[C]. 见:2015 IEEE ENERGY CONVERSION CONGRESS AND EXPOSITION (ECCE). 942-946. 2015.
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