A New Proportional Base Driver Technique for SiC Bipolar Juction Transistor | |
Liao, LY; Tang, S; Wang, J; Shuai, ZK; Yin, X; Shen, ZJ | |
会议名称 | 2015 IEEE ENERGY CONVERSION CONGRESS AND EXPOSITION (ECCE) |
会议日期 | 2015 |
会议地点 | 942-946 |
关键词 | Silicon carbide driver bipolar junction transistor proportional power loss |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 会议论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6085468 |
专题 | 湖南大学 |
作者单位 | Hunan Univ, Coll Elect & Informat Engn, Changsha 410082, Hunan, Peoples R China |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Liao, LY,Tang, S,Wang, J,et al. A New Proportional Base Driver Technique for SiC Bipolar Juction Transistor[C]. 见:2015 IEEE ENERGY CONVERSION CONGRESS AND EXPOSITION (ECCE). 942-946. 2015. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论