| 题名 | 宽禁带半导体纳米结构中缺陷和掺杂特性研究 |
| 作者 | 王治国 |
| 学位类别 | 博士后 |
| 答辩日期 | 2010 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 李京波 |
| 学位专业 | 凝聚态物理 |
| 英文摘要 | Submitted by 阎军 (yanj@red.semi.ac.cn) on 2010-09-08T01:31:21Z No. of bitstreams: 1 王治国_博士后出站报告.pdf: 51512790 bytes, checksum: efccdb1a25bf8cdc9d51efe28a116ff4 (MD5); Approved for entry into archive by 阎军(yanj@red.semi.ac.cn) on 2010-09-08T01:31:52Z (GMT) No. of bitstreams: 1 王治国_博士后出站报告.pdf: 51512790 bytes, checksum: efccdb1a25bf8cdc9d51efe28a116ff4 (MD5); Made available in DSpace on 2010-09-08T01:31:52Z (GMT). No. of bitstreams: 1 王治国_博士后出站报告.pdf: 51512790 bytes, checksum: efccdb1a25bf8cdc9d51efe28a116ff4 (MD5) Previous issue date: 2010 |
| 语种 | 中文 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 公开日期 | 2010-09-08 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13529]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王治国. 宽禁带半导体纳米结构中缺陷和掺杂特性研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2010. |
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