退火温度对脉冲激光沉积法制备的La_3Ga_5SiO_(14)薄膜性质的影响 | |
张雯; 王继扬; 李红霞 | |
2009 | |
会议名称 | 第15届全国晶体生长与材料学术会议 |
关键词 | 薄膜 退火 脉冲激光沉积 光谱 |
会议录 | 第15届全国晶体生长与材料学术会议论文集
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URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 会议论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6069967 |
专题 | 山东大学 |
作者单位 | 1.山东大学晶体材料研究所 2.浙江工业大学机电工程学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张雯,王继扬,李红霞. 退火温度对脉冲激光沉积法制备的La_3Ga_5SiO_(14)薄膜性质的影响[C]. 见:第15届全国晶体生长与材料学术会议. |
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