衬底温度对PECVD法生长SiO2薄膜性能影响的研究 | |
高尚; 连洁; 宋平; 马铮; 王晓; 吴仕梁 | |
2010 | |
会议名称 | 中国光学学会2010年光学大会 |
关键词 | 等离子增强型化学沉积 二氧化硅薄膜 椭偏测量 X射线光电子能谱 |
会议录 | 中国光学学会2010年光学大会论文集 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 会议论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6065003 |
专题 | 山东大学 |
作者单位 | 山东大学信息科学与工程学院光电工程系 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 高尚,连洁,宋平,等. 衬底温度对PECVD法生长SiO2薄膜性能影响的研究[C]. 见:中国光学学会2010年光学大会. |
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