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题名	1.3-1.55 微米 GaInNAs(Sb)/GaAs 量子阱生长与激光器制备研究
作者	赵欢
学位类别	博士
答辩日期	2009
授予单位	中国科学院半导体研究所
授予地点	北京
导师	牛智川 ; 王庶民
英文摘要	Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z; Made available in DSpace on 2009-04-13T11:45:31Z (GMT).; Made available in DSpace on 2009-07-09T01:37:15Z (GMT). No. of bitstreams: 1 disk/eh2009/zh.pdf: 3279702 bytes, checksum: cfde4455a71a0acc5db58af07bf0c829 (MD5) Previous issue date: 2009
语种	中文
学科主题	微电子学与固体电子学
公开日期	2009-04-13 ; 2009-07-09 ; 2010-10-15
内容类型	学位论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/6037]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	赵欢. 1.3-1.55 微米 GaInNAs(Sb)/GaAs 量子阱生长与激光器制备研究[D]. 北京. 中国科学院半导体研究所. 2009.

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