QQ客服 官方微博 反馈留言

	A New Proportional Base Drive Technique for SiC Bipolar Junction Transistor
	Liao, L.; Wang, J.; Tang, S.; Shuai, Z.; Yin, X.; Shen, Z.J.
刊名	IEEE Transactions on Power Electronics
	2017
卷号	Vol.32 No.6页码:4600-4606
关键词	Base drive technique bipolar junction transistor proportional base drive silicon carbide
ISSN号	0885-8993
URL标识	查看原文
公开日期	[db:dc_date_available]
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6041337
专题	湖南大学
作者单位	College of Electrical and Information Engineering, Hunan University, Changsha, China
推荐引用方式 GB/T 7714	Liao, L.,Wang, J.,Tang, S.,et al. A New Proportional Base Drive Technique for SiC Bipolar Junction Transistor[J]. IEEE Transactions on Power Electronics,2017,Vol.32 No.6:4600-4606.
APA	Liao, L.,Wang, J.,Tang, S.,Shuai, Z.,Yin, X.,&Shen, Z.J..(2017).A New Proportional Base Drive Technique for SiC Bipolar Junction Transistor.IEEE Transactions on Power Electronics,Vol.32 No.6,4600-4606.
MLA	Liao, L.,et al."A New Proportional Base Drive Technique for SiC Bipolar Junction Transistor".IEEE Transactions on Power Electronics Vol.32 No.6(2017):4600-4606.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。