| 题名 | GaAs 光阴极材料及SiC/SOI 材料的生长与性能的研究 |
| 作者 | 王晓峰 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2005 |
| 授予单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 曾一平 ; 黄风义 |
| 英文摘要 | Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z; Made available in DSpace on 2009-04-13T11:45:31Z (GMT).; Made available in DSpace on 2009-07-09T01:36:13Z (GMT). No. of bitstreams: 1 disk/eh2005/wxf.pdf: 3660695 bytes, checksum: 4ab8a0d601cfd2e7fc28c629f6b765cc (MD5) Previous issue date: 2005 |
| 语种 | 中文 |
| 学科主题 | 材料物理与化学 |
| 公开日期 | 2009-04-13 ; 2009-07-09 ; 2010-10-15 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/5453]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓峰. GaAs 光阴极材料及SiC/SOI 材料的生长与性能的研究[D]. 北京. 中国科学院半导体研究所. 2005. |
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