| A Study on W Vacancy Defect in Mono-layer Transition-Metal Dichalcogenide (TMD) TFETs through Systematic Ab initio Calculations | |
| Wu, Jixuan; Fan, Zhiqiang; Chen, Jiezhi; Jiang, Xiangwei | |
| 2017 | |
| 会议名称 | Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW) |
| 会议日期 | JUN 04-05, 2017 |
| 页码 | 9-10 |
| 收录类别 | CPCI-S |
| 会议录 | 2017 SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP (SNW)
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| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6028366 |
| 专题 | 山东大学 |
| 作者单位 | 1.Shandong Univ, Sch Informat Sci & Engn, Jinan, Shandong, Peoples R China. 2.C |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wu, Jixuan,Fan, Zhiqiang,Chen, Jiezhi,et al. A Study on W Vacancy Defect in Mono-layer Transition-Metal Dichalcogenide (TMD) TFETs through Systematic Ab initio Calculations[C]. 见:Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW). JUN 04-05, 2017. |
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