| 题名 | 内嵌InAs 量子点的调制掺杂场效应晶体管的光电特性研究 |
| 作者 | 曾宇昕 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2005 |
| 授予单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 杨富华 |
| 英文摘要 | Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z; Made available in DSpace on 2009-04-13T11:45:31Z (GMT).; Made available in DSpace on 2009-07-09T01:36:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1 disk/eh2005/zyx.pdf: 2153280 bytes, checksum: 68d735f271f9de158f5308ef35019a60 (MD5) Previous issue date: 2005 |
| 语种 | 中文 |
| 学科主题 | 微电子学与固体电子学 |
| 公开日期 | 2009-04-13 ; 2009-07-09 ; 2010-10-15 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/5437]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曾宇昕. 内嵌InAs 量子点的调制掺杂场效应晶体管的光电特性研究[D]. 北京. 中国科学院半导体研究所. 2005. |
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