题名 | 新型高K 栅介质材料的制备和性质研究 |
作者 | 李艳丽 |
学位类别 | 博士 |
答辩日期 | 2005 |
授予单位 | 中国科学院半导体研究所 |
授予地点 | 北京 |
导师 | 陈诺夫 |
英文摘要 | Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z; Made available in DSpace on 2009-04-13T11:45:31Z (GMT).; Made available in DSpace on 2009-07-09T01:36:07Z (GMT). No. of bitstreams: 1 disk/eh2005/lyl.pdf: 2117834 bytes, checksum: 62d37bb746e6156707b1f1a8feac64a0 (MD5) Previous issue date: 2005 |
语种 | 中文 |
学科主题 | 材料物理与化学 |
公开日期 | 2009-04-13 ; 2009-07-09 ; 2010-10-15 |
内容类型 | 学位论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/5389] |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李艳丽. 新型高K 栅介质材料的制备和性质研究[D]. 北京. 中国科学院半导体研究所. 2005. |
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