| 气压在由SiH_4淀积多晶硅时的作用 | |
| 李星文[1]; 王英民[2] | |
| 刊名 | 河北大学学报(自然科学版)
 |
| 1983 | |
| 期号 | 01页码:19-23 |
| 关键词 | 淀积 SiH_4 激活能 动力学分析 理论分析 反应室 气相扩散 LPCVD 总压强 表面过程 |
| ISSN号 | 1000-1565 |
| URL标识 | 查看原文 |
| WOS记录号 | WOS: |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6022454 |
| 专题 | 河北大学 |
| 作者单位 | [1]河北大学电子系[2]河北大学电子系 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李星文[1],王英民[2]. 气压在由SiH_4淀积多晶硅时的作用[J]. 河北大学学报(自然科学版),1983(01):19-23. |
| APA | 李星文[1],&王英民[2].(1983).气压在由SiH_4淀积多晶硅时的作用.河北大学学报(自然科学版)(01),19-23. |
| MLA | 李星文[1],et al."气压在由SiH_4淀积多晶硅时的作用".河北大学学报(自然科学版) .01(1983):19-23. |
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