| 可调谐TEACO↓2激光辐照SiH↓4击穿过程的研究 | |
| 张连水[1]; 张贵银[2]; 傅广生[3]; 韩理[4]; 张开锡[5] | |
| 刊名 | 中国激光
 |
| 1992 | |
| 卷号 | 19期号:8页码:624 |
| 关键词 | CO↓2 激光 硅膜 等离子体 击穿 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 收录类别 | CSCD |
| WOS记录号 | WOS: |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6019810 |
| 专题 | 河北大学 |
| 作者单位 | 河北大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张连水[1],张贵银[2],傅广生[3],等. 可调谐TEACO↓2激光辐照SiH↓4击穿过程的研究[J]. 中国激光,1992,19(8):624. |
| APA | 张连水[1],张贵银[2],傅广生[3],韩理[4],&张开锡[5].(1992).可调谐TEACO↓2激光辐照SiH↓4击穿过程的研究.中国激光,19(8),624. |
| MLA | 张连水[1],et al."可调谐TEACO↓2激光辐照SiH↓4击穿过程的研究".中国激光 19.8(1992):624. |
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