退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响

	退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响
	王颖 ; 申德振 ; 张吉英 ; 刘益春 ; 张振中 ; 吕有明 ; 范希武
刊名	液晶与显示
	2005-02-26
期号	01 页码:18-21
关键词	PECVD 光致发光 Si团簇悬键
公开日期	2013-03-11
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/30253]
专题	长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	王颖,申德振,张吉英,等. 退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响[J]. 液晶与显示,2005(01):18-21.
APA	王颖.,申德振.,张吉英.,刘益春.,张振中.,...&范希武.(2005).退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响.液晶与显示(01),18-21.
MLA	王颖,et al."退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响".液晶与显示 .01(2005):18-21.