退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响 | |
王颖 ; 申德振 ; 张吉英 ; 刘益春 ; 张振中 ; 吕有明 ; 范希武 | |
刊名 | 液晶与显示
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2005-02-26 | |
期号 | 01页码:18-21 |
关键词 | PECVD 光致发光 Si团簇 悬键 |
公开日期 | 2013-03-11 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/30253] ![]() |
专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王颖,申德振,张吉英,等. 退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响[J]. 液晶与显示,2005(01):18-21. |
APA | 王颖.,申德振.,张吉英.,刘益春.,张振中.,...&范希武.(2005).退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响.液晶与显示(01),18-21. |
MLA | 王颖,et al."退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响".液晶与显示 .01(2005):18-21. |
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