CORC  > 贵州大学
Mg膜厚度对Mg2Si半导体薄膜结构及方块电阻的影响
杨云良; 廖杨芳; 姚震震; 肖清泉; 张宝晖; 章竞予; 谢泉
2015
卷号40期号:7页码:525-530
关键词磁控溅射 热处理 Mg2Si薄膜 薄膜厚度 方块电阻
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内容类型期刊论文
URI标识http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6013393
专题贵州大学
作者单位[1]贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所,贵阳550025
推荐引用方式
GB/T 7714
杨云良,廖杨芳,姚震震,等. Mg膜厚度对Mg2Si半导体薄膜结构及方块电阻的影响[J],2015,40(7):525-530.
APA 杨云良.,廖杨芳.,姚震震.,肖清泉.,张宝晖.,...&谢泉.(2015).Mg膜厚度对Mg2Si半导体薄膜结构及方块电阻的影响.,40(7),525-530.
MLA 杨云良,et al."Mg膜厚度对Mg2Si半导体薄膜结构及方块电阻的影响".40.7(2015):525-530.
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