Mg膜厚度对Mg2Si半导体薄膜结构及方块电阻的影响 | |
杨云良; 廖杨芳; 姚震震; 肖清泉; 张宝晖; 章竞予; 谢泉 | |
2015 | |
卷号 | 40期号:7页码:525-530 |
关键词 | 磁控溅射 热处理 Mg2Si薄膜 薄膜厚度 方块电阻 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6013393 |
专题 | 贵州大学 |
作者单位 | [1]贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所,贵阳550025 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨云良,廖杨芳,姚震震,等. Mg膜厚度对Mg2Si半导体薄膜结构及方块电阻的影响[J],2015,40(7):525-530. |
APA | 杨云良.,廖杨芳.,姚震震.,肖清泉.,张宝晖.,...&谢泉.(2015).Mg膜厚度对Mg2Si半导体薄膜结构及方块电阻的影响.,40(7),525-530. |
MLA | 杨云良,et al."Mg膜厚度对Mg2Si半导体薄膜结构及方块电阻的影响".40.7(2015):525-530. |
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