| LPCVD自组织生长Si纳米量子点的发光机制分析 | |
| 彭英才[1]; 稻毛信弥[2]; 池田弥央[3]; 宫崎诚一[4] | |
| 刊名 | 发光学报
 |
| 2002 | |
| 卷号 | 23期号:3页码:261-264 |
| 关键词 | Si纳米量子点 自组织生长 量子限制效应-界面中心复合发光 |
| ISSN号 | 1000-7032 |
| DOI | http://dx.doi.org/10.3321/j.issn:1000-7032.2002.03.010 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 收录类别 | 中文核心期刊要目总览CSCD |
| WOS记录号 | WOS: |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6006040 |
| 专题 | 河北大学 |
| 作者单位 | 1.河北大学,电子信息工程学院,河北,保定,071002 2.中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083 3.广岛大学,电气工学系,大学院先端物质科学研究科,日本,广岛 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭英才[1],稻毛信弥[2],池田弥央[3],等. LPCVD自组织生长Si纳米量子点的发光机制分析[J]. 发光学报,2002,23(3):261-264. |
| APA | 彭英才[1],稻毛信弥[2],池田弥央[3],&宫崎诚一[4].(2002).LPCVD自组织生长Si纳米量子点的发光机制分析.发光学报,23(3),261-264. |
| MLA | 彭英才[1],et al."LPCVD自组织生长Si纳米量子点的发光机制分析".发光学报 23.3(2002):261-264. |
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