| SiO2膜的薄层化对自组织生长Si纳米量子点发光特性的影响 | |
| 彭英才[1]; 竹内耕平[2]; 稻毛信弥[3]; 宫崎诚一[4] | |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 2002 | |
| 卷号 | 23期号:3页码:267-271 |
| 关键词 | 自组织生长 Si纳米量子点 超薄SiO2层 光致发光 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| DOI | http://dx.doi.org/10.3321/j.issn:0253-4177.2002.03.007 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 收录类别 | 中文核心期刊要目总览CSCD |
| WOS记录号 | WOS: |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6005997 |
| 专题 | 河北大学 |
| 作者单位 | 1.河北大学电子信息工程学院,保定,071002 2.中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083 3.日本广岛大学电气工学系,大学院先端物质科学研究科 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭英才[1],竹内耕平[2],稻毛信弥[3],等. SiO2膜的薄层化对自组织生长Si纳米量子点发光特性的影响[J]. 半导体学报,2002,23(3):267-271. |
| APA | 彭英才[1],竹内耕平[2],稻毛信弥[3],&宫崎诚一[4].(2002).SiO2膜的薄层化对自组织生长Si纳米量子点发光特性的影响.半导体学报,23(3),267-271. |
| MLA | 彭英才[1],et al."SiO2膜的薄层化对自组织生长Si纳米量子点发光特性的影响".半导体学报 23.3(2002):267-271. |
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