两种不同气源制备的高氢含量aSi_(1-x)C_x∶H薄膜的微结构及其热稳定性研究

	两种不同气源制备的高氢含量aSi_(1-x)C_x∶H薄膜的微结构及其热稳定性研究
	刘玉学 ; 刘益春 ; 申德振
刊名	真空科学与技术
	2001-08-05
期号	04 页码:80-85
关键词	a-Si1xCx∶H 电子自旋共振红外光谱透射反射谱退火
公开日期	2013-03-11
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/28365]
专题	长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	刘玉学,刘益春,申德振. 两种不同气源制备的高氢含量aSi_(1-x)C_x∶H薄膜的微结构及其热稳定性研究[J]. 真空科学与技术,2001(04):80-85.
APA	刘玉学,刘益春,&申德振.(2001).两种不同气源制备的高氢含量aSi_(1-x)C_x∶H薄膜的微结构及其热稳定性研究.真空科学与技术(04),80-85.
MLA	刘玉学,et al."两种不同气源制备的高氢含量aSi_(1-x)C_x∶H薄膜的微结构及其热稳定性研究".真空科学与技术 .04(2001):80-85.