| Ar环境气压对脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒平均尺寸的影响 | |
| Wang, YL[1]; Zhou, Y[2]; Chu, LZ[3]; Fu, GS[4]; Peng, YC[5] | |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 2005 | |
| 卷号 | 54期号:4页码:1683-1686 |
| 关键词 | 纳米Si晶粒 脉冲激光烧蚀 表面形貌 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| DOI | http://dx.doi.org/10.3321/j.issn:1000-3290.2005.04.038 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 收录类别 | SCI(E) ; 中文核心期刊要目总览CSCD |
| WOS记录号 | WOS:000228510600038 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5990467 |
| 专题 | 河北大学 |
| 作者单位 | 1.河北大学物理科学与技术学院,保定,071002 2.河北大学电子信息工程学院,保定,071002 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang, YL[1],Zhou, Y[2],Chu, LZ[3],等. Ar环境气压对脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒平均尺寸的影响[J]. 物理学报,2005,54(4):1683-1686. |
| APA | Wang, YL[1],Zhou, Y[2],Chu, LZ[3],Fu, GS[4],&Peng, YC[5].(2005).Ar环境气压对脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒平均尺寸的影响.物理学报,54(4),1683-1686. |
| MLA | Wang, YL[1],et al."Ar环境气压对脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒平均尺寸的影响".物理学报 54.4(2005):1683-1686. |
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