| ZnS晶体中浅电子陷阱对光电子衰减过程的影响 | |
| 董国义[1]; 窦军红[2]; 张蕾[3]; 韦志仁[4]; 葛世艳[5]; 郑一博[6]; 林琳[7]; 田少华[8] | |
| 刊名 | 人工晶体学报
 |
| 2005 | |
| 卷号 | 34期号:1页码:116-119 |
| 关键词 | ZnS 微波介电谱 热释光 光电子 |
| ISSN号 | 1000-985X |
| DOI | http://dx.doi.org/10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.026 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 收录类别 | 中文核心期刊要目总览CSCD |
| WOS记录号 | WOS: |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5990172 |
| 专题 | 河北大学 |
| 作者单位 | 1.河北大学物理科学与技术学院,保定,071002 2.中央司法警官学院,保定,071000 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 董国义[1],窦军红[2],张蕾[3],等. ZnS晶体中浅电子陷阱对光电子衰减过程的影响[J]. 人工晶体学报,2005,34(1):116-119. |
| APA | 董国义[1].,窦军红[2].,张蕾[3].,韦志仁[4].,葛世艳[5].,...&田少华[8].(2005).ZnS晶体中浅电子陷阱对光电子衰减过程的影响.人工晶体学报,34(1),116-119. |
| MLA | 董国义[1],et al."ZnS晶体中浅电子陷阱对光电子衰减过程的影响".人工晶体学报 34.1(2005):116-119. |
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