| Tc-P共掺杂单层MoS2光电特性的第一性原理计算 | |
| 范梦慧; 谢泉; 岑伟富; 蔡勋明; 骆最芬; 郭笑天; 闫万珺 | |
| 2015 | |
| 卷号 | 36期号:4页码:582-587 |
| 关键词 | 电子结构 光学性质 第一性原理 掺杂 MoS2 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5988082 |
| 专题 | 贵州大学 |
| 作者单位 | 1.[1]贵州大学电子信息学院,贵阳550025 2.[2]贵州民族大学理学院,贵阳550025 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 范梦慧,谢泉,岑伟富,等. Tc-P共掺杂单层MoS2光电特性的第一性原理计算[J],2015,36(4):582-587. |
| APA | 范梦慧.,谢泉.,岑伟富.,蔡勋明.,骆最芬.,...&闫万珺.(2015).Tc-P共掺杂单层MoS2光电特性的第一性原理计算.,36(4),582-587. |
| MLA | 范梦慧,et al."Tc-P共掺杂单层MoS2光电特性的第一性原理计算".36.4(2015):582-587. |
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