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镶嵌有纳米硅的氮化硅薄膜键合特性分析
Ding Wen-ge[1]; Yu Wei[2]; Yang Yan-bin[3]; Zhang Jiang-yong[4]; Fu Guang-sheng[5]
刊名光谱学与光谱分析
2006
卷号26期号:10页码:1798-1801
关键词Raman谱 FTIR谱 光吸收谱 纳米硅颗粒镶嵌薄膜
ISSN号1000-0593
DOIhttp://dx.doi.org/10.3321/j.issn:1000-0593.2006.10.006
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收录类别SCI(E) ; PubMed ; 中文核心期刊要目总览CSCD
WOS记录号WOS:000241751800006
内容类型期刊论文
URI标识http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5982634
专题河北大学
作者单位河北大学物理科学与技术学院,河北,保定,071002
推荐引用方式
GB/T 7714
Ding Wen-ge[1],Yu Wei[2],Yang Yan-bin[3],等. 镶嵌有纳米硅的氮化硅薄膜键合特性分析[J]. 光谱学与光谱分析,2006,26(10):1798-1801.
APA Ding Wen-ge[1],Yu Wei[2],Yang Yan-bin[3],Zhang Jiang-yong[4],&Fu Guang-sheng[5].(2006).镶嵌有纳米硅的氮化硅薄膜键合特性分析.光谱学与光谱分析,26(10),1798-1801.
MLA Ding Wen-ge[1],et al."镶嵌有纳米硅的氮化硅薄膜键合特性分析".光谱学与光谱分析 26.10(2006):1798-1801.
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