ZnS中电子陷阱能级对光生电子弛豫过程的影响 | |
董国义[1]; 窦军红[2]; 韦志仁[3]; 葛世艳[4]; 郑一博[5]; 林琳[6]; 田少华[7] | |
刊名 | 发光学报
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2006 | |
卷号 | 27期号:1页码:31-35 |
关键词 | ZnS 微波吸收技术 热释光 光电子 |
ISSN号 | 1000-7032 |
DOI | http://dx.doi.org/10.3321/j.issn:1000-7032.2006.01.006 |
URL标识 | 查看原文 |
收录类别 | 中文核心期刊要目总览CSCD |
WOS记录号 | WOS: |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5981972 |
专题 | 河北大学 |
作者单位 | [1]河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002[2]河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002[3]河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002[4]河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002[5]河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002[6]河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002[7]河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 董国义[1],窦军红[2],韦志仁[3],等. ZnS中电子陷阱能级对光生电子弛豫过程的影响[J]. 发光学报,2006,27(1):31-35. |
APA | 董国义[1].,窦军红[2].,韦志仁[3].,葛世艳[4].,郑一博[5].,...&田少华[7].(2006).ZnS中电子陷阱能级对光生电子弛豫过程的影响.发光学报,27(1),31-35. |
MLA | 董国义[1],et al."ZnS中电子陷阱能级对光生电子弛豫过程的影响".发光学报 27.1(2006):31-35. |
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