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	ZnS中电子陷阱能级对光生电子弛豫过程的影响
	董国义[1]; 窦军红[2]; 韦志仁[3]; 葛世艳[4]; 郑一博[5]; 林琳[6]; 田少华[7]
刊名	发光学报
	2006
卷号	27期号:1页码:31-35
关键词	ZnS 微波吸收技术 热释光 光电子
ISSN号	1000-7032
DOI	http://dx.doi.org/10.3321/j.issn:1000-7032.2006.01.006
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收录类别	中文核心期刊要目总览CSCD
WOS记录号	WOS:
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5981972
专题	河北大学
作者单位	[1]河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002[2]河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002[3]河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002[4]河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002[5]河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002[6]河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002[7]河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002
推荐引用方式 GB/T 7714	董国义[1],窦军红[2],韦志仁[3],等. ZnS中电子陷阱能级对光生电子弛豫过程的影响[J]. 发光学报,2006,27(1):31-35.
APA	董国义[1].,窦军红[2].,韦志仁[3].,葛世艳[4].,郑一博[5].,...&田少华[7].(2006).ZnS中电子陷阱能级对光生电子弛豫过程的影响.发光学报,27(1),31-35.
MLA	董国义[1],et al."ZnS中电子陷阱能级对光生电子弛豫过程的影响".发光学报 27.1(2006):31-35.

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