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	N_2-Ar流量比对直流磁控溅射硅基AlN薄膜的影响
	王代强; 陈雨青; 杨发顺; 徐希嫔; 刘桥
	2010
期号	6页码:26-28
关键词	流量比 AlN薄膜 直流磁控反应溅射 元素种类与含量
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5979430
专题	贵州大学
作者单位	1.[1]贵州大学人民武装学院,贵州贵阳550025 2.[2]贵州大学理学院,贵州贵阳550025 3.[3]贵州省微纳电子及软件技术重点实验室,贵州贵阳550025 4.[4]贵阳学院,贵州贵阳550005
推荐引用方式 GB/T 7714	王代强,陈雨青,杨发顺,等. N_2-Ar流量比对直流磁控溅射硅基AlN薄膜的影响[J],2010(6):26-28.
APA	王代强,陈雨青,杨发顺,徐希嫔,&刘桥.(2010).N_2-Ar流量比对直流磁控溅射硅基AlN薄膜的影响.(6),26-28.
MLA	王代强,et al."N_2-Ar流量比对直流磁控溅射硅基AlN薄膜的影响"..6(2010):26-28.

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