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	低压CMOS带隙基准电压源设计
	宁江华; 王基石; 杨发顺; 丁召
	2010
卷号	33期号:7页码:115-117
关键词	CMOS基准电压源 低功耗 Sub-1V 高电源抑制比
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5978041
专题	贵州大学
作者单位	1.[1]贵州大学理学院,贵州贵阳550025 2.[2]贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵州贵阳550025
推荐引用方式 GB/T 7714	宁江华,王基石,杨发顺,等. 低压CMOS带隙基准电压源设计[J],2010,33(7):115-117.
APA	宁江华,王基石,杨发顺,&丁召.(2010).低压CMOS带隙基准电压源设计.,33(7),115-117.
MLA	宁江华,et al."低压CMOS带隙基准电压源设计".33.7(2010):115-117.

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