低压CMOS带隙基准电压源设计 | |
宁江华; 王基石; 杨发顺; 丁召 | |
2010 | |
卷号 | 33期号:7页码:115-117 |
关键词 | CMOS基准电压源 低功耗 Sub-1V 高电源抑制比 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5978041 |
专题 | 贵州大学 |
作者单位 | 1.[1]贵州大学理学院,贵州贵阳550025 2.[2]贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵州贵阳550025 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 宁江华,王基石,杨发顺,等. 低压CMOS带隙基准电压源设计[J],2010,33(7):115-117. |
APA | 宁江华,王基石,杨发顺,&丁召.(2010).低压CMOS带隙基准电压源设计.,33(7),115-117. |
MLA | 宁江华,et al."低压CMOS带隙基准电压源设计".33.7(2010):115-117. |
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