| Al掺杂半导体Mg2Si薄膜的制备及电学性质 | |
| 王善兰; 廖杨芳; 房迪; 吴宏仙; 肖清泉; 袁正兵; 谢泉 | |
| 2017 | |
| 卷号 | 0期号:1页码:50-54 |
| 关键词 | 磁控溅射法 Al掺杂 Mg2Si薄膜 电阻率 晶体结构 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5975273 |
| 专题 | 贵州大学 |
| 作者单位 | 1.[1]贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所,贵阳550025 2.[2]贵州师范大学物理与电子科学学院,贵阳550001 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王善兰,廖杨芳,房迪,等. Al掺杂半导体Mg2Si薄膜的制备及电学性质[J],2017,0(1):50-54. |
| APA | 王善兰.,廖杨芳.,房迪.,吴宏仙.,肖清泉.,...&谢泉.(2017).Al掺杂半导体Mg2Si薄膜的制备及电学性质.,0(1),50-54. |
| MLA | 王善兰,et al."Al掺杂半导体Mg2Si薄膜的制备及电学性质".0.1(2017):50-54. |
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