| 亚65nm工艺新型p结构多米诺与门设计 | |
| 汪金辉[1]; 宫娜[2]; 冯守博[3]; 段丽莹[4]; 侯立刚[5]; 吴武臣[6]; 董利民[7] | |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 2007 | |
| 卷号 | 28期号:11页码:1818-1823 |
| 关键词 | 低功耗 漏电流 p型多米诺与门 噪声容限 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| DOI | http://dx.doi.org/10.3321/j.issn:0253-4177.2007.11.029 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 收录类别 | 中文核心期刊要目总览CSCD |
| WOS记录号 | WOS: |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5972764 |
| 专题 | 河北大学 |
| 作者单位 | 1.北京工业大学集成电路与系统研究室,北京,100022 2.河北大学电子信息工程学院,保定,071002 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 汪金辉[1],宫娜[2],冯守博[3],等. 亚65nm工艺新型p结构多米诺与门设计[J]. 半导体学报,2007,28(11):1818-1823. |
| APA | 汪金辉[1].,宫娜[2].,冯守博[3].,段丽莹[4].,侯立刚[5].,...&董利民[7].(2007).亚65nm工艺新型p结构多米诺与门设计.半导体学报,28(11),1818-1823. |
| MLA | 汪金辉[1],et al."亚65nm工艺新型p结构多米诺与门设计".半导体学报 28.11(2007):1818-1823. |
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