| 掺硼纳米晶粒多晶Si薄膜的结构特征与电学特性 | |
| 彭英才[1]; 康建波[2]; 马蕾[3]; 张雷[4]; 王侠[5]; 范志东[6] | |
| 刊名 | 人工晶体学报
 |
| 2008 | |
| 卷号 | 37期号:2页码:471-474,465 |
| 关键词 | LPCVD nc-poly-si(B)薄膜 结构特征 热退火 电学性质 |
| ISSN号 | 1000-985X |
| URL标识 | 查看原文 |
| 收录类别 | 中文核心期刊要目总览CSCD |
| WOS记录号 | WOS: |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5966050 |
| 专题 | 河北大学 |
| 作者单位 | 1.[1]河北大学电子信息工程学院,保定,071002 2.中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京,100083[2]河北大学电子信息工程学院,保定,071002[3]河北大学电子信息工程学院,保定,071002[4]河北大学电子信息工程学院,保定,071002[5]河北大学电子信息工程学院,保定,071002[6]河北大学电子信息工程学院,保定,071002 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭英才[1],康建波[2],马蕾[3],等. 掺硼纳米晶粒多晶Si薄膜的结构特征与电学特性[J]. 人工晶体学报,2008,37(2):471-474,465. |
| APA | 彭英才[1],康建波[2],马蕾[3],张雷[4],王侠[5],&范志东[6].(2008).掺硼纳米晶粒多晶Si薄膜的结构特征与电学特性.人工晶体学报,37(2),471-474,465. |
| MLA | 彭英才[1],et al."掺硼纳米晶粒多晶Si薄膜的结构特征与电学特性".人工晶体学报 37.2(2008):471-474,465. |
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