| n/p型Si衬底对ZnO薄膜结构及导电类型的影响 | |
| 傅广生[1]; 张丽[2]; 张锦川[3]; 张子才[4]; 武树杰[5]; 于威[6] | |
| 2008 | |
| 会议名称 | 第11届全国固体薄膜会议 |
| 会议日期 | 2008-10-01 |
| 关键词 | 螺旋波等离子 射频磁控溅射 导电类型 薄膜结构 氧化锌薄膜 |
| 页码 | 15-17 |
| URL标识 | 查看原文 |
| WOS记录号 | WOS: |
| 内容类型 | 会议论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5964054 |
| 专题 | 河北大学 |
| 作者单位 | [1]河北大学物理科学与技术学院,保定 071002[2]河北大学物理科学与技术学院,保定 071002[3]河北大学物理科学与技术学院,保定 071002[4]河北大学物理科学与技术学院,保定 071002[5]河北大学物理科学与技术学院,保定 071002[6]河北大学物理科学与技术学院,保定 071002 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 傅广生[1],张丽[2],张锦川[3],等. n/p型Si衬底对ZnO薄膜结构及导电类型的影响[C]. 见:第11届全国固体薄膜会议. 2008-10-01. |
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