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	Performance Upper Limit of sub-10 nm Monolayer MoS2 Transistors
	Ni, Zeyuan; Ye, Meng; Ma, Jianhua; Wang, Yangyang; Quhe, Ruge; Zheng, Jiaxin; Dai, Lun; Yu, Dapeng; Shi, Junjie; Yang, Jinbo
刊名	ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS
	2016
卷号	2
ISSN号	2199-160X
DOI	10.1002/aelm.201600191
URL标识	查看原文
收录类别	SCIE
WOS记录号	WOS:000384455800014
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5955015
专题	北京航空航天大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Ni, Zeyuan,Ye, Meng,Ma, Jianhua,et al. Performance Upper Limit of sub-10 nm Monolayer MoS2 Transistors[J]. ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS,2016,2.
APA	Ni, Zeyuan.,Ye, Meng.,Ma, Jianhua.,Wang, Yangyang.,Quhe, Ruge.,...&Lu, Jing.(2016).Performance Upper Limit of sub-10 nm Monolayer MoS2 Transistors.ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS,2.
MLA	Ni, Zeyuan,et al."Performance Upper Limit of sub-10 nm Monolayer MoS2 Transistors".ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS 2(2016).

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