| 中红外透明导电ITO薄膜的制备 | |
| 吕博凡; 武永梅 | |
| 刊名 | 物联网技术
 |
| 2017 | |
| 卷号 | 7页码:48-51 |
| 关键词 | 射频磁控溅射 ITO薄膜 霍尔迁移率 光学性能 |
| ISSN号 | 2095-1302 |
| DOI | 10.16667/j.issn.2095-1302.2017.01.013 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5942157 |
| 专题 | 北京航空航天大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吕博凡,武永梅. 中红外透明导电ITO薄膜的制备[J]. 物联网技术,2017,7:48-51. |
| APA | 吕博凡,&武永梅.(2017).中红外透明导电ITO薄膜的制备.物联网技术,7,48-51. |
| MLA | 吕博凡,et al."中红外透明导电ITO薄膜的制备".物联网技术 7(2017):48-51. |
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