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	Spintronic Processing Unit Within Voltage-Gated Spin Hall Effect MRAMs
	Zhang, He; Kang, Wang; Wu, Bi; Ouyang, Peng; Deng, Erya; Zhang, Youguang; Zhao, Weisheng
刊名	IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY
	2019
卷号	18页码:473-483
关键词	Spintronic processing unit (SPU) voltage-gated Spin Hall Effect MRAMs processing-in-memory (PIM) non-von-Neumann computing architectures
ISSN号	1536-125X
DOI	10.1109/TNANO.2019.2914009
URL标识	查看原文
收录类别	SCIE ; EI
WOS记录号	WOS:000468239200003
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5919212
专题	北京航空航天大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Zhang, He,Kang, Wang,Wu, Bi,et al. Spintronic Processing Unit Within Voltage-Gated Spin Hall Effect MRAMs[J]. IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY,2019,18:473-483.
APA	Zhang, He.,Kang, Wang.,Wu, Bi.,Ouyang, Peng.,Deng, Erya.,...&Zhao, Weisheng.(2019).Spintronic Processing Unit Within Voltage-Gated Spin Hall Effect MRAMs.IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY,18,473-483.
MLA	Zhang, He,et al."Spintronic Processing Unit Within Voltage-Gated Spin Hall Effect MRAMs".IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY 18(2019):473-483.

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