| Design and Optimization of an Area-efficient SOT-MRAM | |
| Wang, Chao; Wang, Zhaohao; Wu, Bi; Zhao, Weisheng | |
| 2019 | |
| 会议名称 | 2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC) |
| 会议日期 | 2019-01-01 |
| 关键词 | Magnetic random access memory (MRAM) spin orbit torque (SOT) high density write policy |
| 收录类别 | EI ; CPCI-S |
| URL标识 | 查看原文 |
| WOS记录号 | WOS:000483036000131 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5918236 |
| 专题 | 北京航空航天大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang, Chao,Wang, Zhaohao,Wu, Bi,et al. Design and Optimization of an Area-efficient SOT-MRAM[C]. 见:2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC). 2019-01-01. |
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