| 不同基底对等离子体射流放电及薄膜特性的影响 | |
| Wang, Ruixue; Zhang, Penghao; Xu, Hui; Zhang, Cheng; Li, Ting; Shao, Tao | |
| 刊名 | 高电压技术
 |
| 2019 | |
| 卷号 | 45页码:1360-1366 |
| 关键词 | 等离子体射流 不同基底 射流发展过程 OH分布 薄膜特性 |
| ISSN号 | 1003-6520 |
| DOI | 10.13336/j.1003-6520.hve.20190430002 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 收录类别 | EI |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5916727 |
| 专题 | 北京航空航天大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang, Ruixue,Zhang, Penghao,Xu, Hui,等. 不同基底对等离子体射流放电及薄膜特性的影响[J]. 高电压技术,2019,45:1360-1366. |
| APA | Wang, Ruixue,Zhang, Penghao,Xu, Hui,Zhang, Cheng,Li, Ting,&Shao, Tao.(2019).不同基底对等离子体射流放电及薄膜特性的影响.高电压技术,45,1360-1366. |
| MLA | Wang, Ruixue,et al."不同基底对等离子体射流放电及薄膜特性的影响".高电压技术 45(2019):1360-1366. |
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