高电源抑制比低温漂带隙基准源设计

	高电源抑制比低温漂带隙基准源设计
	胡佳俊 ; 陈后鹏 ; 蔡道林 ; 宋志棠 ; 周桂华
刊名	微电子学
	2012
期号	1 页码:34-37
关键词	带隙基准源负反馈电源抑制比 BiCMOS
ISSN号	1004-3365
中文摘要	根据带隙基准的基本原理,结合含三条支路负反馈的电流源,设计了一种高阶补偿的带隙基准源电路。实现了对温度的2阶补偿和3阶补偿,获得了一种高电源抑制比、低温漂、不受电源变化影响的电压基准源。设计采用0.35μm CMOS工艺,仿真结果表明,在-40℃～125℃温度范围内,输出电压的温度系数为7.70×10-7/℃,在1kHz时,电源抑制比为-82.3dB。
收录类别	CNKI2012-013
语种	中文
公开日期	2013-02-22
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/111014]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	胡佳俊,陈后鹏,蔡道林,等. 高电源抑制比低温漂带隙基准源设计[J]. 微电子学,2012(1):34-37.
APA	胡佳俊,陈后鹏,蔡道林,宋志棠,&周桂华.(2012).高电源抑制比低温漂带隙基准源设计.微电子学(1),34-37.
MLA	胡佳俊,et al."高电源抑制比低温漂带隙基准源设计".微电子学 .1(2012):34-37.