石墨烯晶畴尺寸的可控生长及其对材料电学性能的影响

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	石墨烯晶畴尺寸的可控生长及其对材料电学性能的影响
	吴渊文 ; 张燕辉 ; 陈志蓥 ; 王彬 ; 于广辉
刊名	功能材料与器件学报
	2012
期号	4 页码:309-313
关键词	石墨烯单晶化学气相沉积拉曼电学性质
ISSN号	1007-4252
中文摘要	采用化学气相沉积技术(CVD)在铜箔衬底上实现了石墨烯单晶畴的可控生长,并用两步生长法制备了不同单晶畴尺寸的多晶石墨烯连续膜。利用光学显微镜和拉曼光谱仪对石墨烯的形貌和结构进行了表征。通过对转移到SiO2衬底上石墨烯连续膜的霍尔测试发现,石墨烯晶畴尺寸变化对其连续膜的电学性能影响显著。石墨烯连续膜的晶畴尺寸越大,其方块电阻越小,载流子迁移率越高。
收录类别	CNKI2012-132
语种	中文
公开日期	2013-02-22
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/110945]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	吴渊文,张燕辉,陈志蓥,等. 石墨烯晶畴尺寸的可控生长及其对材料电学性能的影响[J]. 功能材料与器件学报,2012(4):309-313.
APA	吴渊文,张燕辉,陈志蓥,王彬,&于广辉.(2012).石墨烯晶畴尺寸的可控生长及其对材料电学性能的影响.功能材料与器件学报(4),309-313.
MLA	吴渊文,et al."石墨烯晶畴尺寸的可控生长及其对材料电学性能的影响".功能材料与器件学报 .4(2012):309-313.