NiFeNb缓冲层对纳米级坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响 | |
王存涛[1]; 王书运[1]; 高垣梅[1]; 张慧[1] | |
2013 | |
卷号 | 44期号:3页码:8-11 |
关键词 | 坡莫合金薄膜 NiFeNb缓冲层 各向异性磁电阻 微结构 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5804378 |
专题 | 山东师范大学 |
作者单位 | [1]山东师范大学物理与电子科学学院,山东济南250014 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王存涛[1],王书运[1],高垣梅[1],等. NiFeNb缓冲层对纳米级坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响[J],2013,44(3):8-11. |
APA | 王存涛[1],王书运[1],高垣梅[1],&张慧[1].(2013).NiFeNb缓冲层对纳米级坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响.,44(3),8-11. |
MLA | 王存涛[1],et al."NiFeNb缓冲层对纳米级坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响".44.3(2013):8-11. |
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