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	低温生长GaAs实现半导体泵浦红外激光器被动调Q锁模研究
	姜其畅 [1]; 卓壮 [1]; 李健 [1]; 程文雍 [1]; 王勇刚 [2]; 马骁宇 [3]; 张志刚 [4]; 王清月 [4]
	2005
期号	4页码:1-4
关键词	调Q锁模 GaAs 低温生长 红外激光器 半导体泵浦 全固态激光器 泵浦功率 重复频率 饱和吸收体 二极管泵浦 晶体材料 输出功率 锁模脉冲 输出镜 注入
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5801642
专题	山东师范大学
作者单位	1.[1]山东师范大学物理与电子科学学院,济南,250014,山大鲁能科技有限责任公司,济南,250014 2.[2]中国科学院半导体研究所,北京,100083,天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光实验室,天津,300072 3.[3]中国科学院半导体研究所,北京,100083 4.[4]天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光实验室,天津,300072
推荐引用方式 GB/T 7714	姜其畅 [1],卓壮 [1],李健 [1],等. 低温生长GaAs实现半导体泵浦红外激光器被动调Q锁模研究[J],2005(4):1-4.
APA	姜其畅 [1].,卓壮 [1].,李健 [1].,程文雍 [1].,王勇刚 [2].,...&王清月 [4].(2005).低温生长GaAs实现半导体泵浦红外激光器被动调Q锁模研究.(4),1-4.
MLA	姜其畅 [1],et al."低温生长GaAs实现半导体泵浦红外激光器被动调Q锁模研究"..4(2005):1-4.

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