Fabrication of actinomorphic GaN nanowires by sputtering and ammoniating progress | |
Tian, Deheng[1]; Xue, Chengshan[1]; Zhuang, Huizhao[1]; Zhang, Xiaokai[1]; Wu, Yuxin[1]; He, Jianting[1]; Liu, Yi'an[1]; Wang, Fuxue[1] | |
OCT 16-19, 2005 | |
会议日期 | OCT 16-19, 2005 |
会议地点 | Beijing, PEOPLES R CHINA |
会议录 | 3rd Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-3) |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 会议论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5801409 |
专题 | 山东师范大学 |
作者单位 | [1]Shandong Normal Univ, Inst Semicond, Jinan 250014, Peoples R China |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Tian, Deheng[1],Xue, Chengshan[1],Zhuang, Huizhao[1],et al. Fabrication of actinomorphic GaN nanowires by sputtering and ammoniating progress[C]. 见:. Beijing, PEOPLES R CHINA. OCT 16-19, 2005. |
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