Ga近硅表面连续低浓度分布特性分析 | |
裴素华 [1]; 修显武 [2]; 孙海波 [3]; 黄萍 [1]; 于连英 [1] | |
2005 | |
卷号 | 34期号:4页码:565-568 |
关键词 | Ga 近硅表面 浓度分布 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5800219 |
专题 | 山东师范大学 |
作者单位 | 1.[1]山东师范大学,山东,济南,250014 2.[2]山东大学,山东,济南,250010 3.[3]山东交通学院,山东,济南,250013 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 裴素华 [1],修显武 [2],孙海波 [3],等. Ga近硅表面连续低浓度分布特性分析[J],2005,34(4):565-568. |
APA | 裴素华 [1],修显武 [2],孙海波 [3],黄萍 [1],&于连英 [1].(2005).Ga近硅表面连续低浓度分布特性分析.,34(4),565-568. |
MLA | 裴素华 [1],et al."Ga近硅表面连续低浓度分布特性分析".34.4(2005):565-568. |
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