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	RF磁控溅射和氮化法制备GaN纳米棒和纳米颗粒
	胡丽君[1]; 庄惠照[1]; 高海永[1]; 何建廷[1]; 薛守斌[1]; 薛成山[1]
	2005
卷号	42期号:9页码:411-414
关键词	GaN纳米棒和纳米颗粒 ZnO/Ga2O3薄膜 射频磁控溅射 氨化
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5796220
专题	山东师范大学
作者单位	[1]山东师范大学半导体研究所,济南250014
推荐引用方式 GB/T 7714	胡丽君[1],庄惠照[1],高海永[1],等. RF磁控溅射和氮化法制备GaN纳米棒和纳米颗粒[J],2005,42(9):411-414.
APA	胡丽君[1],庄惠照[1],高海永[1],何建廷[1],薛守斌[1],&薛成山[1].(2005).RF磁控溅射和氮化法制备GaN纳米棒和纳米颗粒.,42(9),411-414.
MLA	胡丽君[1],et al."RF磁控溅射和氮化法制备GaN纳米棒和纳米颗粒".42.9(2005):411-414.

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