RF磁控溅射和氮化法制备GaN纳米棒和纳米颗粒 | |
胡丽君[1]; 庄惠照[1]; 高海永[1]; 何建廷[1]; 薛守斌[1]; 薛成山[1] | |
2005 | |
卷号 | 42期号:9页码:411-414 |
关键词 | GaN纳米棒和纳米颗粒 ZnO/Ga2O3薄膜 射频磁控溅射 氨化 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5796220 |
专题 | 山东师范大学 |
作者单位 | [1]山东师范大学半导体研究所,济南250014 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡丽君[1],庄惠照[1],高海永[1],等. RF磁控溅射和氮化法制备GaN纳米棒和纳米颗粒[J],2005,42(9):411-414. |
APA | 胡丽君[1],庄惠照[1],高海永[1],何建廷[1],薛守斌[1],&薛成山[1].(2005).RF磁控溅射和氮化法制备GaN纳米棒和纳米颗粒.,42(9),411-414. |
MLA | 胡丽君[1],et al."RF磁控溅射和氮化法制备GaN纳米棒和纳米颗粒".42.9(2005):411-414. |
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