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	低温生长GaAs在Nd：YVO4激光器中调Q特性的研究
	姜其畅[1]; 卓壮[1,2]; 王勇刚[3]; 李健[1]; 苏艳丽[1]; 马骁宇[3]; 张志刚[4]; 王清月[4]
	2006
卷号	35期号:8页码:1133-1136
关键词	低温生长GaAs 被动调Q Nd:YVO4激光器 半导体抽运
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5792756
专题	山东师范大学
作者单位	1.[1]山东师范大学物理与电子科学学院,济南 250014 2.[2]山大鲁能科技有限责任公司,济南250100 3.[3]中国科学院半导体研究所,北京100083 4.[4]天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光实验室,天津300072
推荐引用方式 GB/T 7714	姜其畅[1],卓壮[1,2],王勇刚[3],等. 低温生长GaAs在Nd：YVO4激光器中调Q特性的研究[J],2006,35(8):1133-1136.
APA	姜其畅[1].,卓壮[1,2].,王勇刚[3].,李健[1].,苏艳丽[1].,...&王清月[4].(2006).低温生长GaAs在Nd：YVO4激光器中调Q特性的研究.,35(8),1133-1136.
MLA	姜其畅[1],et al."低温生长GaAs在Nd：YVO4激光器中调Q特性的研究".35.8(2006):1133-1136.

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