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	脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜的研究进展
	何建廷[1]; 庄惠照[1]; 薛成山[1]; 田德恒[1]; 吴玉新[1]; 赵婧[1]; 刘亦安[1]; 薛守斌[1]; 胡丽君[1]
	2006
卷号	25期号:5页码:9-12
关键词	半导体技术 脉冲激光沉积 综述 氧化锌薄膜 衬底温度 氧分压
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5790816
专题	山东师范大学
作者单位	[1]山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所,山东济南250014
推荐引用方式 GB/T 7714	何建廷[1],庄惠照[1],薛成山[1],等. 脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜的研究进展[J],2006,25(5):9-12.
APA	何建廷[1].,庄惠照[1].,薛成山[1].,田德恒[1].,吴玉新[1].,...&胡丽君[1].(2006).脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜的研究进展.,25(5),9-12.
MLA	何建廷[1],et al."脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜的研究进展".25.5(2006):9-12.

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