| Mg掺杂GaN纳米线的结构及其特性 | |
| 薛成山[1]; 张冬冬[1]; 庄惠照[1]; 黄英龙[1]; 王邹平[1]; 王英[1] | |
| 2009 | |
| 卷号 | 25期号:1页码:113-115 |
| 关键词 | 氮化镓 纳米线 单晶 Mg掺杂 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5787940 |
| 专题 | 山东师范大学 |
| 作者单位 | [1]山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所,济南250014 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 薛成山[1],张冬冬[1],庄惠照[1],等. Mg掺杂GaN纳米线的结构及其特性[J],2009,25(1):113-115. |
| APA | 薛成山[1],张冬冬[1],庄惠照[1],黄英龙[1],王邹平[1],&王英[1].(2009).Mg掺杂GaN纳米线的结构及其特性.,25(1),113-115. |
| MLA | 薛成山[1],et al."Mg掺杂GaN纳米线的结构及其特性".25.1(2009):113-115. |
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