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	Si衬底上MgxZn1-xO薄膜发光特性研究
	连洁[1]; 王青圃[1]; 赵懿琨[1]; 张飒飒[1]; 张锡建[2]; 王公堂[3]; 卜刚[1]
	2006
卷号	17期号:5页码:554-557
关键词	六角MgxZn1-xO薄膜 光致发光(PL)潜 激发光
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5783084
专题	山东师范大学
作者单位	1.[1]山东大学信息科学与工程学院,山东济南250100 2.[2]山东大学物理与微电子学院,山东济南250100 3.[3]山东师范大学物理电子学院,山东济南250014
推荐引用方式 GB/T 7714	连洁[1],王青圃[1],赵懿琨[1],等. Si衬底上MgxZn1-xO薄膜发光特性研究[J],2006,17(5):554-557.
APA	连洁[1].,王青圃[1].,赵懿琨[1].,张飒飒[1].,张锡建[2].,...&卜刚[1].(2006).Si衬底上MgxZn1-xO薄膜发光特性研究.,17(5),554-557.
MLA	连洁[1],et al."Si衬底上MgxZn1-xO薄膜发光特性研究".17.5(2006):554-557.

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