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	衬底温度对PLD方法生长Si（111）基ZnO薄膜结晶质量和发光特性的影响
	庄惠照[1]; 何建廷[1]; 薛成山[1]; 张晓凯[1]; 田德恒[1]; 胡丽君[1]; 薛守斌[1]
	2006
卷号	35期号:7页码:1105-1108
关键词	PLD ZnO 薄膜 六方纤锌矿结构
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5781922
专题	山东师范大学
作者单位	[1]山东师范大学,山东济南250014
推荐引用方式 GB/T 7714	庄惠照[1],何建廷[1],薛成山[1],等. 衬底温度对PLD方法生长Si（111）基ZnO薄膜结晶质量和发光特性的影响[J],2006,35(7):1105-1108.
APA	庄惠照[1].,何建廷[1].,薛成山[1].,张晓凯[1].,田德恒[1].,...&薛守斌[1].(2006).衬底温度对PLD方法生长Si（111）基ZnO薄膜结晶质量和发光特性的影响.,35(7),1105-1108.
MLA	庄惠照[1],et al."衬底温度对PLD方法生长Si（111）基ZnO薄膜结晶质量和发光特性的影响".35.7(2006):1105-1108.

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