衬底温度对PLD方法生长Si(111)基ZnO薄膜结晶质量和发光特性的影响 | |
庄惠照[1]; 何建廷[1]; 薛成山[1]; 张晓凯[1]; 田德恒[1]; 胡丽君[1]; 薛守斌[1] | |
2006 | |
卷号 | 35期号:7页码:1105-1108 |
关键词 | PLD ZnO 薄膜 六方纤锌矿结构 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5781922 |
专题 | 山东师范大学 |
作者单位 | [1]山东师范大学,山东济南250014 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 庄惠照[1],何建廷[1],薛成山[1],等. 衬底温度对PLD方法生长Si(111)基ZnO薄膜结晶质量和发光特性的影响[J],2006,35(7):1105-1108. |
APA | 庄惠照[1].,何建廷[1].,薛成山[1].,张晓凯[1].,田德恒[1].,...&薛守斌[1].(2006).衬底温度对PLD方法生长Si(111)基ZnO薄膜结晶质量和发光特性的影响.,35(7),1105-1108. |
MLA | 庄惠照[1],et al."衬底温度对PLD方法生长Si(111)基ZnO薄膜结晶质量和发光特性的影响".35.7(2006):1105-1108. |
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