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	Formation of GaN film by ammoniating Ga2O3 deposited on Si substrate with electrophoresis
	Yang, L; Xue, CS; Zhuang, HZ; Li, HX; Wei, QQ
	JUN 10-14, 2002
会议日期	JUN 10-14, 2002
会议地点	XIAN, PEOPLES R CHINA
会议录	Symposium on Silicon-based Heterostructure Materials held at the 8th IUMRS International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM2002)
URL标识	查看原文
内容类型	会议论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5779576
专题	山东师范大学
作者单位	[1]Shandong Normal Univ, Chem Funct Mate Lab, Inst Semicond, Jinan 250014, Peoples R China
推荐引用方式 GB/T 7714	Yang, L,Xue, CS,Zhuang, HZ,et al. Formation of GaN film by ammoniating Ga2O3 deposited on Si substrate with electrophoresis[C]. 见:. XIAN, PEOPLES R CHINA. JUN 10-14, 2002.

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