磁控溅射硅基AlN薄膜的氮-氩气体流量比研究 | |
王代强; 杨发顺; 徐希嫔; 陈雨青; 刘桥 | |
2011 | |
卷号 | 33期号:2页码:248-250 |
关键词 | 流量比 AlN薄膜 直流磁控反应溅射 元素种类与含量 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5775723 |
专题 | 贵州大学 |
作者单位 | 1.[1]贵州大学人民武装学院,贵州贵阳550025 2.[2]贵州大学理学院,贵州贵阳550025 3.[3]贵州省微纳电子及软件技术重点实验室,贵州贵阳550025 4.[4]贵阳学院物理与电子信息科学系,贵州贵阳550009 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王代强,杨发顺,徐希嫔,等. 磁控溅射硅基AlN薄膜的氮-氩气体流量比研究[J],2011,33(2):248-250. |
APA | 王代强,杨发顺,徐希嫔,陈雨青,&刘桥.(2011).磁控溅射硅基AlN薄膜的氮-氩气体流量比研究.,33(2),248-250. |
MLA | 王代强,et al."磁控溅射硅基AlN薄膜的氮-氩气体流量比研究".33.2(2011):248-250. |
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