CORC  > 贵州大学
磁控溅射硅基AlN薄膜的氮-氩气体流量比研究
王代强; 杨发顺; 徐希嫔; 陈雨青; 刘桥
2011
卷号33期号:2页码:248-250
关键词流量比 AlN薄膜 直流磁控反应溅射 元素种类与含量
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内容类型期刊论文
URI标识http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5775723
专题贵州大学
作者单位1.[1]贵州大学人民武装学院,贵州贵阳550025
2.[2]贵州大学理学院,贵州贵阳550025
3.[3]贵州省微纳电子及软件技术重点实验室,贵州贵阳550025
4.[4]贵阳学院物理与电子信息科学系,贵州贵阳550009
推荐引用方式
GB/T 7714
王代强,杨发顺,徐希嫔,等. 磁控溅射硅基AlN薄膜的氮-氩气体流量比研究[J],2011,33(2):248-250.
APA 王代强,杨发顺,徐希嫔,陈雨青,&刘桥.(2011).磁控溅射硅基AlN薄膜的氮-氩气体流量比研究.,33(2),248-250.
MLA 王代强,et al."磁控溅射硅基AlN薄膜的氮-氩气体流量比研究".33.2(2011):248-250.
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