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	Molecular dynamics simulations of CH+ ions interaction with silicon carbide
	Lu, X.; Qin, Y.; Ning, J.; Zhou, T.; Deng, C. Y.; Meng, Ch.; Qiu, Q.; Chuanwu, Zhang; Ying, Yan; Ming, Jiang
	2009
会议日期	OCT 12-17, 2008
会议地点	Beihang Univ, Beijing, PEOPLES R CHINA
会议录	9th International Conference on Computer Simulation of Radiation Effects in Solids
URL标识	查看原文
内容类型	会议论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5768068
专题	贵州大学
作者单位	1.[1]FOM Inst Plasma Phys, NL-3430 BE Nieuwegein, Netherlands 2.[2]Guizhou Univ, Inst Plasma Surface Interact, Guiyang 550025, Peoples R China 3.[3]Guiyang Med Coll, Guiyang 550025, Guizhou Prov, Peoples R China
推荐引用方式 GB/T 7714	Lu, X.,Qin, Y.,Ning, J.,et al. Molecular dynamics simulations of CH+ ions interaction with silicon carbide[C]. 见:. Beihang Univ, Beijing, PEOPLES R CHINA. OCT 12-17, 2008.

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