MEVVA离子源制备Fe/Si系薄膜的颗粒污染问题 | |
胡冰; 李晓娜; 王秀敏; 董闯 | |
刊名 | 真空
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2006 | |
卷号 | 43页码:21-24 |
关键词 | 颗粒污染 MEVVA源 离子注入 Fe/Si薄膜 |
ISSN号 | 1002-0322 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5698927 |
专题 | 大连理工大学 |
作者单位 | 1.大连理工大学三束国家重点实验室,辽宁,大连,116024 2.大连理工大学材料工程系,辽宁,大连,116024 3.大连理工大学三束国家重点实验室,辽宁,大连,116024 4.大连理工大学材料工程系,辽宁,大连,116024 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡冰,李晓娜,王秀敏,等. MEVVA离子源制备Fe/Si系薄膜的颗粒污染问题[J]. 真空,2006,43:21-24. |
APA | 胡冰,李晓娜,王秀敏,&董闯.(2006).MEVVA离子源制备Fe/Si系薄膜的颗粒污染问题.真空,43,21-24. |
MLA | 胡冰,et al."MEVVA离子源制备Fe/Si系薄膜的颗粒污染问题".真空 43(2006):21-24. |
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